ams OSRAM Durchsteckmontage 80 ° Fototransistor Infrarot 14 μs / 8.6 mA, 2-Pin 5 mm (T-1 3/4)
- RS Best.-Nr.:
- 654-8867
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 314 FA-2/3
- Marke:
- ams OSRAM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
6,14 €
(ohne MwSt.)
7,31 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,614 € | 6,14 € |
| 100 - 240 | 0,598 € | 5,98 € |
| 250 - 490 | 0,578 € | 5,78 € |
| 500 - 990 | 0,566 € | 5,66 € |
| 1000 + | 0,544 € | 5,44 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 654-8867
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 314 FA-2/3
- Marke:
- ams OSRAM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Fallzeit typ. | 14μs | |
| Wellenlänge Spitze | 870nm | |
| Regelanstiegszeit | 14μs | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Lichtstrom max. | 8.6mA | |
| Dunkelstrom max. | 200nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 80 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | 5 mm (T-1 3/4) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Breite | 5.9mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 62471 2006, RoHS | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 7V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Fallzeit typ. 14μs | ||
Wellenlänge Spitze 870nm | ||
Regelanstiegszeit 14μs | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Lichtstrom max. 8.6mA | ||
Dunkelstrom max. 200nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 80 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße 5 mm (T-1 3/4) | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Breite 5.9mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Höhe 6.9mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 62471 2006, RoHS | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 7V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 70V | ||
Fototransistor-Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Produktfamilie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 5 mm (T-1 3/4) Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind computergesteuerte Blitze, Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.
5 mm (T-1 3/4) Gehäuse
Durchgangsbohrung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Verwandte Links
- ams OSRAM Durchsteckmontage 80 ° Fototransistor Infrarot 14 μs / 8.6 mA, 2-Pin 5 mm (T-1 3/4)
- ams OSRAM SFH 309 FA 24 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 3.2 mA, 2-Pin
- ams OSRAM SFH 325 FA Fototransistor Infrarot 7 μs / 80 μA SMD SIDELED
- ams OSRAM Durchsteckmontage 24 ° Fototransistor Infrarot 7 μs, 2-Pin 3 mm (T-1)
- ams OSRAM TOPLED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 16 μA, 2-Pin PLCC
- ams OSRAM SFH 309 FA Durchsteckmontage ±12 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 4.5 mA, 2-Pin 3 mm (T-1)
- ams OSRAM TOPLED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 1 mA, 2-Pin PLCC
- ams OSRAM SIDELED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 80 μA, 2-Pin PLCC