- RS Best.-Nr.:
- 665-5404
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 314 FA
- Marke:
- ams OSRAM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 665-5404
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 314 FA
- Marke:
- ams OSRAM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fototransistor-Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Produktfamilie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 5 mm (T-1 3/4) Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind computergesteuerte Blitze, Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.
5 mm (T-1 3/4) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Durchgangsbohrung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Fallzeit typ. | 14µs |
Regelanstiegszeit | 14µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Dunkelstrom max. | 200nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 80 ° |
Polarität | NPN |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | Durchsteckmontage |
Gehäusetyp | 5 mm (T-1 3/4) |
Abmessungen | 5.9 x 5.9 x 6.9mm |
Kollektorstrom | 50mA |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 740 → 1080 nm |
Wellenlänge min. | 740nm |
Wellenlänge max. | 1080nm |
Länge | 5.9mm |
Höhe über Panel | 6.9mm |
Breite | 5.9mm |
- RS Best.-Nr.:
- 665-5404
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 314 FA
- Marke:
- ams OSRAM
Verwandte Produkte
- ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 12μs 2-Pin 3mm
- ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 460nm → 1080nm, 3-Pin DIP
- ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 460nm → 1080nm / 4200μA, 6-Pin SMD
- ams OSRAM Fototransistor IR 7μs / 80μA
- ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 460nm → 1080nm, 6-Pin SMD
- ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs 2-Pin T1.3/4
- ams OSRAM SMD Fototransistor IR 7μs Side-View Gehäuse
- ams OSRAM Fototransistor IR 7μs / 2800μA