- RS Best.-Nr.:
- 665-5423P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-3-Z
- Marke:
- ams OSRAM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 665-5423P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-3-Z
- Marke:
- ams OSRAM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fototransistor SIDELED®-Gehäuse
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.
Hohe Linearität
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Fallzeit typ. | 7µs |
Regelanstiegszeit | 7µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Lichtstrom max. | 50µA |
Dunkelstrom max. | 50nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 120 ° |
Polarität | NPN |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | SMD |
Gehäusetyp | PLCC |
Abmessungen | 4.2 x 4.2 x 3.8mm |
Kollektorstrom | 15mA |
Wellenlänge max. | 1120nm |
Wellenlänge min. | 750nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 750 → 1120 nm |
Serie | SIDELED |
Breite | 4.2mm |
Länge | 4.2mm |
Höhe über Panel | 3.8mm |
- RS Best.-Nr.:
- 665-5423P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-3-Z
- Marke:
- ams OSRAM