Vishay THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 6μs, 450nm → 1080nm / 20000μA, 3-Pin TO18
- RS Best.-Nr.:
- 708-2810P
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW77NB
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
Fototransistoren Serie BPW77NA und BPW77NB
Die Serien BPW77NA und BPW77NB von Vishay Semiconductor sind eine Reihe von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie verfügen über gekapselte TO-18-Gehäuse mit einer Glaslinse. Die Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Sie sind ideal für den Einsatz als Detektoren von elektronischen Steuerungs- und Antriebskreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB:
TO-18-Gehäuse
4,7 mm Durchmesser
Durchgangsbohrungsmontage
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
TO-18-Gehäuse
4,7 mm Durchmesser
Durchgangsbohrungsmontage
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
| Fallzeit typ. | 5µs |
| Regelanstiegszeit | 6µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 20000µA |
| Dunkelstrom max. | 100nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 20 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 3 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | TO18 |
| Abmessungen | 5.5 x 5.5 x 6.15mm |
| Kollektorstrom | 50mA |
| Wellenlänge max. | 1080nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1080 nm |
| Wellenlänge min. | 450nm |
| Höhe über Panel | 6.15mm |
| Länge | 5.5mm |
| Breite | 5.5mm |
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