Vishay SMD NPN Fototransistor IR 2μs, 730nm → 1000nm / 7000μA, 2-Pin Subminiatur
- RS Best.-Nr.:
- 710-4926
- Herst. Teile-Nr.:
- TEMT1020
- Marke:
- Vishay
30 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
0,501 €
(ohne MwSt.)
0,596 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 90 | 0,501 € | 5,01 € |
| 100 - 240 | 0,35 € | 3,50 € |
| 250 - 490 | 0,335 € | 3,35 € |
| 500 - 990 | 0,32 € | 3,20 € |
| 1000 + | 0,251 € | 2,51 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 710-4926
- Herst. Teile-Nr.:
- TEMT1020
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fototransistoren der Serie TEMT1000
Diese Familie von NPN-Fototransistoren aus Silizium von Vishay Semiconductor ist in SMD-Subminiaturgehäusen enthalten. Sie verfügen über ein schwarzes Gehäuse aus Kunststoff mit einer Reihe unterschiedlicher Kabeloptionen, einschließlich Knickflügel, umgekehrter Knickflügel, Jochanschluss und axiale Anschlüsse. Die schwarzen Gehäuse dienen den Fototransistoren TEMT1000 als Tageslichtsperrfilter.
Geeignete Anwendungen für diese Fototransistoren sind Encoder, Zähler, Foto-Unterbrecher, IR-Detektoren für Tageslichtanwendungen und für den Einsatz als Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebsschaltkreisen.
Geeignete Anwendungen für diese Fototransistoren sind Encoder, Zähler, Foto-Unterbrecher, IR-Detektoren für Tageslichtanwendungen und für den Einsatz als Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebsschaltkreisen.
Merkmale der Serie TEMT1000:
TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030 und TEMT1040
Subminiatur-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Vielzahl von verschiedenen Kabeltypen
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 15°
TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030 und TEMT1040
Subminiatur-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Vielzahl von verschiedenen Kabeltypen
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 15°
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 2.3µs |
| Regelanstiegszeit | 2µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 7000µA |
| Dunkelstrom max. | 200nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 30 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | SMD |
| Gehäusetyp | Subminiatur |
| Abmessungen | 2.5 x 2 x 2.7mm |
| Kollektorstrom | 50mA |
| Wellenlänge max. | 1000nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 730 → 1000 nm |
| Wellenlänge min. | 730nm |
| Breite | 2mm |
| Länge | 2.5mm |
| Höhe über Panel | 2.7mm |
Verwandte Produkte
- ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs 2-Pin 3mm
- ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs 2-Pin
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 15000μA, 2-Pin 5mm
- Stanley SMD NPN Fototransistor IR 8μs 2-Pin
- ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs 2-Pin 5mm
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm, 2-Pin 3mm
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs 2-Pin 5mm
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs 2-Pin T1