- RS Best.-Nr.:
- 805-0549
- Herst. Teile-Nr.:
- QTLP610CPDTR
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 805-0549
- Herst. Teile-Nr.:
- QTLP610CPDTR
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IR-Fototransistor QTLP610CPD
Der IR-Fototransistor QTLP610CPD von Fairchild Semiconductor befindet sich in einem rechtwinkligen Oberflächenmontage-Gehäuse. Er verfügt über eine gewölbte Linse aus transparentem Kunststoff.
Merkmale des QTLP610CPD:
NPN-Silizium-Fototransistor
Rechtwinkliges SMD-Gehäuse
Klare gewölbte Linse
Hohe Fotoempfindlichkeit
Sperrschicht mit niedriger Kapazität
Schnelle Ansprechzeit
NPN-Silizium-Fototransistor
Rechtwinkliges SMD-Gehäuse
Klare gewölbte Linse
Hohe Fotoempfindlichkeit
Sperrschicht mit niedriger Kapazität
Schnelle Ansprechzeit
IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Fallzeit typ. | 15µs |
Regelanstiegszeit | 15µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Dunkelstrom max. | 100nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 80 °C |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | Oberflächenmontage |
Abmessungen | 3.2 x 2.2 x 1.1mm |
Kollektorstrom | 0.5mA |
Wellenlänge max. | 860nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 860 nm |
Breite | 2.2mm |
Höhe über Panel | 1.1mm |
Länge | 3.2mm |
- RS Best.-Nr.:
- 805-0549
- Herst. Teile-Nr.:
- QTLP610CPDTR
- Marke:
- onsemi