ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

RS Best.-Nr.:: 876-8710
Herst. Teile-Nr.:: SFH 309 FA-4
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

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(ohne MwSt.)

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(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 225	0,373 €	9,325 €
250 - 475	0,287 €	7,175 €
500 - 975	0,247 €	6,175 €
1000 - 1975	0,191 €	4,775 €
2000 +	0,174 €	4,35 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 876-8710
Herst. Teile-Nr.:: SFH 309 FA-4
Marke:: ams OSRAM

Mehr Infos und technische Dokumente

Silicon NPN Phototransistor Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors

Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
Durchgangsbohrung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	7µs
Regelanstiegszeit	7µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	4500µA
Dunkelstrom max.	1 (≤ 50)nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	±12 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	3 mm (T-1)
Abmessungen	3.1 (Dia.) x 5.2mm
Kollektorstrom	15mA
Durchmesser	3.1mm
Wellenlänge max.	1120nm
Wellenlänge min.	880nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	880 bis 1120 nm
Sättigungsspannung	200mV
Kollektor-Emitter-Spannung	35 V
Höhe über Panel	5.2mm