ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm
- RS Best.-Nr.:
- 876-8710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 309 FA-4
- Marke:
- ams OSRAM
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- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 309 FA-4
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- ams OSRAM
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- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.
Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
Durchgangsbohrung
Durchgangsbohrung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 7µs |
| Regelanstiegszeit | 7µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 4500µA |
| Dunkelstrom max. | 1 (≤ 50)nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±12 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | 3 mm (T-1) |
| Abmessungen | 3.1 (Dia.) x 5.2mm |
| Kollektorstrom | 15mA |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 880 bis 1120 nm |
| Durchmesser | 3.1mm |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Wellenlänge min. | 880nm |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 35 V |
| Höhe über Panel | 5.2mm |
| Sättigungsspannung | 200mV |
- RS Best.-Nr.:
- 876-8710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 309 FA-4
- Marke:
- ams OSRAM