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    ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 7200μA, 2-Pin T1

    RS Best.-Nr.:
    912-8514
    Herst. Teile-Nr.:
    SFH 309 FA-4/5
    Marke:
    ams OSRAM
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    Produktdetails

    T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors


    Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

    Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
    Durchgangsbohrung


    IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Erkennbare SpektrenIR
    Fallzeit typ.7µs
    Regelanstiegszeit7µs
    Anzahl der Kanäle1
    Lichtstrom max.7200µA
    Dunkelstrom max.200nA
    Empfindlichkeit-Halbwertswinkel24°
    PolaritätNPN
    Anzahl der Pins2
    Montage TypDurchsteckmontage
    GehäusetypT1
    Abmessungen4 x 4 x 5.2mm
    Kollektorstrom15mA
    Wellenlänge max.1120nm
    Wellenlänge min.730nm
    Empfindlichkeit im Spektralbereich730 → 1120 nm
    Breite4mm
    Höhe über Panel5.2mm
    Länge4mm
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