STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17V 30 ns

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152-012P
Herst. Teile-Nr.:
L6385ED013TR
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

650mA

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SO-8

Abfallzeit

30ns

Treiber-Typ

High-Side

Anstiegszeit

50ns

Minimale Versorgungsspannung

17V

Maximale Versorgungsspannung

17V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

L6385ED013TR

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Montageart

Oberfläche

Ursprungsland:
CN
Der einfache und kompakte Hochspannungs-Gate-Treiber von STMicroelectronics, der mit der BCD-„Offline“-Technologie hergestellt wird und eine halbe Brücke von Leistungs-MOSFET- oder IGBT-Geräten antreiben kann. Der hochseitige (schwimmende) Abschnitt ist in der Lage, mit Spannungsschienen bis zu 600 V zu arbeiten. Beide Geräteausgänge können unabhängig voneinander 650 mA bzw. 400 mA senken und liefern und können gleichzeitig hoch angetrieben werden, um asymmetrische Halbbrückenkonfigurationen zu betreiben.

Unterspannungsverriegelung am unteren und oberen Antriebsabschnitt

Interne Bootstrap-Diode

Ausgänge in Phasen mit Eingängen

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