STMicroelectronics L6387ED013TR Gate-Treiber-Modul High-Side 650 mA 2 8-Pin SO-8 17 V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 152-014
- Herst. Teile-Nr.:
- L6387ED013TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
2.985,00 €
(ohne MwSt.)
3.552,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,194 € | 2.985,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-014
- Herst. Teile-Nr.:
- L6387ED013TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 650mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anstiegszeit | 50ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 17V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6387ED013TR | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 650mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anstiegszeit 50ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 17V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 17V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie L6387ED013TR | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Montageart Oberfläche | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der einfache und kompakte Hochspannungs-Gate-Treiber von STMicroelectronics, der mit der BCD-„Offline-Technologie hergestellt wird und eine halbe Brücke von Leistungs-MOSFET- oder IGBT-Geräten antreiben kann. Der hochseitige (schwimmende) Abschnitt ist für den Betrieb mit Spannungsschienen bis zu 600 V geeignet. Beide Geräteausgänge können unabhängig voneinander 650 mA bzw. 400 mA senken und liefern und können dank einer integrierten Verriegelungsfunktion nicht gleichzeitig hoch angetrieben werden.
Interne Bootstrap-Diode
Ausgänge in Phasen mit Eingängen
Funktion der Verriegelung
Verwandte Links
- STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 400/650 mA 17V 8-Pin SO8 30ns
- STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 400/650 mA 17V 8-Pin SO8 40ns
- STMicroelectronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 4 A 3.1V 8-Pin SO8 30ns
- STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 3 A 5.5V 8-Pin SO-8W 30ns
- STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 3 A 5.5V 8-Pin SO-8 30ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 14 A 3.1 to 17V 8-Pin PG-DSO-8 30ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 10 A 3.1 to 17V 8-Pin PG-DSO-8 30ns
- Microchip Gate-Ansteuerungsmodul CMOS5 A 4.5 → 18V 8-Pin SOIC 30ns
