onsemi Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 277-081
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP51152BADR2G
- Marke:
- onsemi
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- 277-081
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- NCP51152BADR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Treiber-Typ | Isolierter Gattertreiber | |
| Anstiegszeit | 12ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | NCP51152 | |
| Normen/Zulassungen | CQC GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), AEC-Q100-002, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Treiber-Typ Isolierter Gattertreiber | ||
Anstiegszeit 12ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie NCP51152 | ||
Normen/Zulassungen CQC GB4943.1-2011 (Planned), UL1577 (Planned), AEC-Q100-002, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber von ON Semiconductor bietet 4,5A/9A Source- und Sink-Spitzenströme und ist für schnelles Schalten zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt. Er wird in einem kompakten 4 mm SOIC-8-Gehäuse geliefert und unterstützt Isolationsspannungen bis zu 3,75 kVRMS. Darüber hinaus verfügt er über wichtige Schutzfunktionen, wie z. B. eine unabhängige Unterspannungsabschaltung für beide Treiberseiten, die einen zuverlässigen und sicheren Betrieb in Hochleistungsanwendungen gewährleisten.
Gate-Klemmung bei Kurzschluss
200 V/ns dV/dt Störfestigkeit
Negative 5-V-Fähigkeit an den Eingangsstiften
SGS FIMO-Zertifizierung nach IEC 62386-1
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