onsemi NCP51752DBDR2G Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 20 V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 277-082
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP51752DBDR2G
- Marke:
- onsemi
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- 277-082
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- NCP51752DBDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Treiber-Typ | Isolierter Gattertreiber | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | CQC GB4943.1-2011, SGS FIMO IEC 62386-1, UL1577, AEC-Q100-011 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | NCP51752 | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Treiber-Typ Isolierter Gattertreiber | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen CQC GB4943.1-2011, SGS FIMO IEC 62386-1, UL1577, AEC-Q100-011 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Serie NCP51752 | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber von ON Semiconductor ist für schnelles Schalten zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt. Es bietet kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen für eine präzise Steuerung. Um die Zuverlässigkeit und die dV/dt-Immunität zu verbessern und eine noch schnellere Abschaltung zu erreichen, verfügt der Treiber über einen innovativen Mechanismus für eine eingebettete negative Vorspannungsschiene. Diese Funktion verbessert die Leistung und gewährleistet einen effizienten Hochgeschwindigkeitsbetrieb in anspruchsvollen Leistungsanwendungen.
CMTI von mindestens 200 V/ns dV/dt
Negative 5-V-Fähigkeit an den Eingangsstiften
SGS FIMO-Zertifizierung nach IEC 62386-1
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