Microchip MIC5018YM4-TR MOSFET High-Side 150 μA 4-Pin SOIC 9 V
- RS Best.-Nr.:
- 333-248
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC5018YM4-TR
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 150μA | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 9V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 150μA | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 9V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der High-Side-MOSFET-Gate-Treiber von Microchip dient zum Schalten eines N-Kanal-MOSFETs vom Typ Enhancement mit einem TTL-kompatiblen Steuersignal in High-Side- oder Low-Side-Schalteranwendungen. Er wird mit einer Spannung von 2,7 V bis 9 V versorgt und zeichnet sich durch einen extrem niedrigen Ruhestrom aus. Eine interne Ladungspumpe treibt den Gate-Ausgang höher als die Treiber-Versorgungsspannung und kann die Gate-Spannung unbegrenzt aufrechterhalten. Eine interne Zenerdiode begrenzt die Gate-Source-Spannung auf einen sicheren Wert für Standard-N-Kanal-MOSFETs.
Ladungspumpe für Hochspannungsanwendungen mit niedriger Spannung
Interner MOSFET-Schutz durch Zener-Diode zwischen Gate und Erde
Funktioniert in Low- und High-Side-Konfigurationen
TTL-kompatibler Eingang
ESD-geschützt
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