Microchip MIC4469YWM-TR Gate-Treiber Low-Side 3 A 1 16-Pin WM (16-polig Wide SOIC) 18 V 5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 598-791
- Herst. Teile-Nr.:
- MIC4469YWM-TR
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 3A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abfallzeit | 5ns | |
| Gehäusegröße | WM (16-polig Wide SOIC) | |
| Treiber-Typ | Low-Side | |
| Anstiegszeit | 5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.31 mm | |
| Länge | 10.34mm | |
| Serie | MIC446 | |
| Höhe | 2.34mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 3A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abfallzeit 5ns | ||
Gehäusegröße WM (16-polig Wide SOIC) | ||
Treiber-Typ Low-Side | ||
Anstiegszeit 5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.31 mm | ||
Länge 10.34mm | ||
Serie MIC446 | ||
Höhe 2.34mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber von Microchip bietet eine optimale Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen. Sein überlegenes Design sorgt für minimale Ausbreitungsverzögerung und Anstiegszeit, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für den Antrieb von Hochleistungs-MOSFETs in synchronen und asynchronen Anwendungen macht. Dieser Treiber wurde präzise entwickelt, um sicherzustellen, dass er hohe Spitzenströme liefern kann und gleichzeitig die thermische Stabilität aufrechterhält, was für einen zuverlässigen Systembetrieb von entscheidender Bedeutung ist. Der MIC4469 integriert eine Reihe von Funktionen, die sowohl für Hochfrequenz-Schaltanwendungen als auch für Low-Power-Lösungen geeignet sind, um Vielseitigkeit in einem kompakten Gehäuse zu gewährleisten. Seine niedrigen Kosten und Effizienz machen ihn ideal für Netzteilanwendungen, wodurch Produktivität und Leistung auf der gesamten Platine erhöht werden.
Der Hochgeschwindigkeitsbetrieb ermöglicht ein schnelles Schalten für einen verbesserten Wirkungsgrad
Geringe Ausbreitungsverzögerung trägt zu einer reaktionssicheren Stromkreisleistung bei
Kann einen hohen Spitzenausgangsstrom liefern, um MOSFETs effektiv zu betreiben
Die thermische Stabilität gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen
Vielseitige Integration für eine Vielzahl von Anwendungen
Kompaktes Design hilft, Platz auf der Platine zu sparen und fördert ein effizientes Layout
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