Microchip TC4420EOA713 Gate-Treiber 6 A 1 8-Pin 8-Stift CERDIP/PDIP/SOIC 18 V 25 ns
- RS Best.-Nr.:
- 598-801
- Herst. Teile-Nr.:
- TC4420EOA713
- Marke:
- Microchip
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- 598-801
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- TC4420EOA713
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 6A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 25ns | |
| Gehäusegröße | 8-Stift CERDIP/PDIP/SOIC | |
| Anstiegszeit | 25ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | TC4420/TC4429 | |
| Breite | 6.05 mm | |
| Länge | 5.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 6A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 25ns | ||
Gehäusegröße 8-Stift CERDIP/PDIP/SOIC | ||
Anstiegszeit 25ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie TC4420/TC4429 | ||
Breite 6.05 mm | ||
Länge 5.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Microchip Dual MOSFET-Treiber wurde entwickelt, um die Leistung Ihrer elektronischen Schaltungen zu verbessern. Mit Hochgeschwindigkeitsfunktionalität wird die Stromversorgung Ihrer MOSFETs effizient verwaltet, um optimale Schaltzeiten zu gewährleisten und Energieverluste zu reduzieren. Der Treiber zeichnet sich in Niederspannungsumgebungen aus, was ihn zu einer perfekten Passform für verschiedene Anwendungen macht, einschließlich Stromverwaltungssystemen und Motorsteuerungen. Sein robustes Design unterstützt eine Vielzahl von Eingangsspannungen, was Flexibilität bei Schaltkreisentwürfen ermöglicht. Dieser Treiber ist ideal für erfahrene Ingenieure und Neulinge gleichermaßen und vereinfacht komplexe Schaltkreisprobleme bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung von Zuverlässigkeit und Leistung.
Die Hochgeschwindigkeitsleistung verringert die Schaltverluste erheblich
Zweikanal-Design ermöglicht eine nahtlose Integration in mehrere Anwendungen
Großer Versorgungsspannungsbereich verbessert die Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Stromkreiskonfigurationen
Geringe Ausgangs-Aufwärts- und Abwärtszeiten sorgen für eine schnelle und effiziente MOSFET-Schaltung
Der integrierte Kurzschlussschutz erhöht die Zuverlässigkeit des Stromkreises
Hohe Antriebsstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Belastungsanforderungen
Der Wärmeschutz schützt vor Überhitzung während des Betriebs
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