Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,3 A 20V 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
124-8960
Herst. Teile-Nr.:
IRS2181SPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Ausgangsstrom

2,3 A

Versorgungsspannung

20V

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

2

Topologie

Low / High Side

Ein-/Ausgangsabhängigkeit

Independent

Anzahl der Treiber

2

Polarität

Non-Inverting

Montage-Typ

SMD

Ursprungsland:
MY
Die High-Side- und Low-Side-Treiber von Infineon sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Querleitung der Treiber ausgelegt ist. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 V betrieben wird.

Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb

Voll funktionsfähig bis +600 V

Tolerant gegenüber negativen transienten Spannungen, dV/dt-immun

Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V

Unterspannungs-Lockout für beide Kanäle

Kompatibel mit 33 V und 5 V Eingangslogik

Angepasste Laufzeitverzögerung für beide Kanäle

Logik- und Versorgungsmasse +/- 5 V Offset

Niedrigeres di/dt Gate-Treiber für bessere Rauschimmunität

Ausgangs-Source/Sink-Stromfähigkeit 14 A/18 A