Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung -5 A, 5 A. 20V 8-Pin WSON 10ns
- RS Best.-Nr.:
- 133-6570
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDN7523GXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | 0,667 € | 2.668,00 € |
| 20000 + | 0,65 € | 2.600,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 133-6570
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDN7523GXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Ausgangsstrom | -5 A, 5 A. | |
| Versorgungsspannung | 20V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Topologie | Galvanisch getrennt | |
| Ein-/Ausgangsabhängigkeit | Independent | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Zeitverzögerung | 23ns | |
| Brücken-Typ | Synchron | |
| Polarität | Inverting | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Ausgangsstrom -5 A, 5 A. | ||
Versorgungsspannung 20V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Topologie Galvanisch getrennt | ||
Ein-/Ausgangsabhängigkeit Independent | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Zeitverzögerung 23ns | ||
Brücken-Typ Synchron | ||
Polarität Inverting | ||
Montage-Typ SMD | ||
- Ursprungsland:
- PH