onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung 4,3 A 18V 8-Pin SOIC 40ns
- RS Best.-Nr.:
- 141-2983
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5183DR2G
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 141-2983
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV5183DR2G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Ausgangsstrom | 4,3 A | |
| Versorgungsspannung | 18V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 40ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Topologie | Low / High Side | |
| Ein-/Ausgangsabhängigkeit | Independent | |
| Zeitverzögerung | 200ns | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Brücken-Typ | Halbbrücke | |
| Polarität | Non-Inverting | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Ausgangsstrom 4,3 A | ||
Versorgungsspannung 18V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 40ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Topologie Low / High Side | ||
Ein-/Ausgangsabhängigkeit Independent | ||
Zeitverzögerung 200ns | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Brücken-Typ Halbbrücke | ||
Polarität Non-Inverting | ||
Montage-Typ SMD | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||