Infineon MOSFET MOSFET 1 A 2 8-Pin SOIC 15 V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 170-2346P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIR2085STR
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 20 - 40 | 3,192 € |
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| 250 + | 2,722 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2346P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIR2085STR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 60ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.99 mm | |
| Serie | AUIR2085S | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 4.98mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 60ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 15V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.99 mm | ||
Serie AUIR2085S | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 4.98mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Unsere Portfolio-Gate-Ansteuerungs-ICs vereinfachen das Design und optimieren die Leistung in allen Ansteuerungsstufen der FETs und IGBTs
Einfache primärseitige Steuerungslösung zur Aktivierung von Halbbrücken-DC-Bus-Wandlern für 48 V verteilte Systeme mit verringerter Bauelementeanzahl und PlatinenplatzIntegrierter 50-%-Tastverhältnisoszillator und Halbbrücken-Treiber-IC in einem einzigen SO-8 GehäuseProgrammierbare Schaltfrequenz mit bis zu 500 kHz max. pro Kanal+/–1 A Treiberstrombelastbarkeit optimiert für MOSFETs mit geringer LadungEinstellbare Totzeit 50–200 nsVeränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb bis zu +100 V dcHoch- und Niederspannungsseiten-Impulsbreitenanpassung an +/–25 nsEinstellbarer ÜberstromschutzUnterspannungsschutz und interner SanftanlaufbleifreiAnwendungsbereiche:Kfz 48 V dc/dcKfz 12 V dc/dcEntlüftungPiezo-EinspritzungMagnet-Einspritzung