Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 1 A 20V 8-Pin SOIC 35ns

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
170-2349
Herst. Teile-Nr.:
IR2011STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Ausgangsstrom

1 A

Versorgungsspannung

20V

Pinanzahl

8

Abfallzeit

35ns

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

50ns

Topologie

Low / High Side

Ein-/Ausgangsabhängigkeit

Independent

Zeitverzögerung

80ns

Anzahl der Treiber

2

Polarität

Non-Inverting

Montage-Typ

SMD

MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber, High- und Low-Side, Infineon


Gate-Ansteuerungs-ICs von Infineon zur Steuerung von MOSFET- oder IGBT-Leistungsbauelementen in Hoch- und Niederspannungsseiten-Konfigurationen.

200-V-Hoch- und Niederspannungsseiten-Treiber-ICs mit typischerweise 1-A-Quelle und 1-A-Senkenströmen in 8-Kabel-SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch erhältlich in 8-Kabel-PDIP.

Zusammenfassung der Funktionen:Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb, dV/dt immunVoll betriebsfähig bis 200 V tolerant gegenüber negativer ÜberspannungTolerant gegenüber negativer TransientenspannungdV/dt immunGate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 VUnabhängige Nieder- und HochspannungsseitenkanäleEingangslogik HIN/LIN high-aktivUnterspannungsschutz für beide KanäleKompatibel mit 3,3-V- und 5-V-EingangslogikCMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-DownAngepasste Laufzeit für beide Kanäle


MOSFET- und IGBT-Treiber, Infineon (International Rectifier)