ROHM MOSFET-Gate-Ansteuerung 18V 8-Pin SOP 170ns

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RS Best.-Nr.:
184-5238
Herst. Teile-Nr.:
BS2101F-E2
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Versorgungsspannung

18V

Pinanzahl

8

Abfallzeit

170ns

Gehäusegröße

SOP

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

300ns

Topologie

Low / High Side

Anzahl der Treiber

2

Polarität

Non-Inverting

Montage-Typ

SMD

Ursprungsland:
JP
Der BS2101F ist ein monolithischer High- und Low-Side Gate-Ansteuerungs-IC, der Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber mit Bootstrap-Betrieb ansteuern kann. Der potenzialfreie Kanal kann zum Ansteuern eines N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der High-Side-Konfiguration für den Betrieb bis 600 V verwendet werden. Die Logikeingänge können mit 3,3 V und 5,0 V verwendet werden. Die Abschaltung bei Unterspannung (UVLO) verhindert Störungen, wenn VCC und VBS unterhalb der definierten Schwellenspannung liegen.

Potenzialfreie Kanäle für Bootstrap-Betrieb bis +600 V
Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10V bis 18V
Integrierte Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle
Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
Angepasste Laufzeit für beide Kanäle
Ausgang in Phase mit Eingang