Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3400 mA 10-Pin DFN 20 V 365 ns

Zwischensumme (1 Rolle mit 250 Stück)*

184,25 €

(ohne MwSt.)

219,25 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
250 +0,737 €184,25 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
201-3369
Herst. Teile-Nr.:
HIP2211FRTZ-T7A
Marke:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

3400mA

Pinanzahl

10

Gehäusegröße

DFN

Abfallzeit

365ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

435ns

Minimale Versorgungsspannung

18V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

HIP2211

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.6 mm

Länge

3mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der hochfrequente High-Frequency-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber Renesas mit 100 V, 3 A Quelle und 4 A Senke gehört zur Serie HIP2211. Dieser Treiber verfügt über eine 10-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit.

Schnelle Laufzeit und Anpassung mit 15 ns typischer Verzögerung und 2 ns typischer Anpassung

Er verfügt über eine integrierte 0,5-O-typische Bootstrap-Diode

115 V dc Bootstrap-Versorgungsspannung unterstützt 100 V auf der Halbbrücke

Verwandte Links