onsemi Universaltreiber Universal 1.9 A 2 8-Pin SOIC 20 V 8 ns
- RS Best.-Nr.:
- 205-2420
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV57200DR2G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Universaltreiber | |
| Ausgangsstrom | 1.9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 8ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | Universal | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 13ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Universaltreiber | ||
Ausgangsstrom 1.9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 8ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ Universal | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 13ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Ein isolierter Hochspannungstreiber kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Niederspannungsseiten-Netzteil versorgt werden. Diese galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die bis zu 800 V bei hohen dv/dt betreiben.
Gehäuse ist SOIC-8 (bleifrei)
Hoher Peak Current Output (+1,9 A/-2,3 A)
Niedriger Ausgangsspannungsabfall für verbesserte IGBT-Leitung
Gesicherter Ausgangs-Low-State ohne VDD/VB
Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +800 V
CMTI bis zu 50 kV/s.
Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.
VDD- und VBS-Versorgungsspannungsbereich bis zu 20 V.
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