STMicroelectronics MOSFET 1 8-Pin SO-8W
- RS Best.-Nr.:
- 208-5078
- Herst. Teile-Nr.:
- STGAP2SICSC
- Marke:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 208-5078
- Herst. Teile-Nr.:
- STGAP2SICSC
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SO-8W | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Montageart | SMD | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SO-8W | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Montageart SMD | ||
Der STGAP2SICS von STMicroelectronics ist ein Single Gate-Treiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Antriebskanal und der Niederspannungsregelung und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch 4 A Kapazität und Schiene-zu-Schiene-Ausgänge aus, womit das Gerät auch für Anwendungen mit mittlerer und hoher Leistung wie Leistungsumwandlung und Motor-Treiber-Wechselrichter in industriellen Anwendungen geeignet ist. Das Gerät ist in zwei verschiedenen Konfigurationen erhältlich. Die Konfiguration mit getrennten Ausgangsstiften ermöglicht eine eigenständige Optimierung des Ein- und Ausschaltens durch den Einsatz dedizierter Gate-Widerstände. Die Konfiguration mit Einfachausgangsstift und Miller CLAMP-Funktion verhindert Gate-Spitzen bei schnellen Kommutationen in Halbbrückentopologien. Beide Konfigurationen bieten eine hohe Flexibilität und Materialreduzierung für externe Komponenten.
Hochspannungsschiene bis zu 1200 V
Treiberstromleistung: 4 A Sink/Quelle @ 25 °C
dV/dt Übergangsimmunität ±100 V/ns im gesamten Temperaturbereich
Gesamteingang-Ausgang-Ausbreitungsverzögerung: 75 ns
Separate Sink- und Quelloption für einfache Gate Drive-Konfiguration
4 A Miller CLAMP dedizierte Stiftoption
UVLO-Funktion
Gate-Treiberspannung bis zu 26 V
3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
Temperatur-Abschaltschutz
Standby-Funktion
6 kV galvanische Isolierung
