Microchip Gate-Treiber MOSFET 9 A 1 8-Pin PDIP 18V 60 ns
- RS Best.-Nr.:
- 209-7722P
- Herst. Teile-Nr.:
- TC4422EPA
- Marke:
- Microchip
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- TC4422EPA
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Abfallzeit | 60ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 60ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Serie | TC4422 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Abfallzeit 60ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 60ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 10.16mm | ||
Höhe 4.06mm | ||
Serie TC4422 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip TC4422EPA verfügt über Hochstromtreiber, die große MOSFETs und IGBTs antreiben können. Sie sind im Wesentlichen immun gegen jede Art von Störung, außer direkte Überspannung oder Überableitung - sie können unter keinen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungswerte verriegelt werden; Sie sind in diesem Fall weder beschädigt noch unsachgemäß zu bedienen Bis zu 5 V Erdprellen sind auf ihrem vorhanden Masseklemmen; Sie können ohne Beschädigung oder Logikstörung mehr als 1 A induktiven Strom jeder Polarität in ihre Ausgänge zurückführen. Darüber hinaus sind alle Klemmen vollständig gegen bis zu 4 kV elektrostatische Entladung geschützt. Die TC4422EPA-Eingänge können direkt von TTL oder CMOS (3 V bis 18 V) angesteuert werden. Darüber hinaus ist eine Hysterese von 300 mV in den Eingang integriert, die eine Störfestigkeit bietet und es dem Gerät ermöglicht, von langsam steigenden oder fallenden Signalformen zu angetrieben zu werden.
Robuste CMOS-Konstruktion
Hoher Peak Ausgangsstrom
Schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten
Kurze interne Verzögerungen
Niedrige Ausgangsimpedanz
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