STMicroelectronics Gate-Treiber MOSFET 600 mA 3 28-Pin SOIC 78 V 120 ns

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RS Best.-Nr.:
210-8288
Herst. Teile-Nr.:
STDRIVE101
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

600mA

Pinanzahl

28

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

120ns

Anzahl der Ausgänge

3

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

120ns

Minimale Versorgungsspannung

-0.3V

Maximale Versorgungsspannung

78V

Anzahl der Treiber

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

4.15mm

Breite

4.15 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

STDRIVE101 ist ein Niederspannungs-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von dreiphasigen bürstenlosen Motoren geeignet ist.

Es handelt sich um einen Single-Chip mit drei Halbbrücken-Gate-Treibern für N-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Jeder Treiber hat eine Strombelastbarkeit von 600 mA (Sink/Source). Das Produkt enthält einen Low-Drop-Linearregler, der die Versorgungsspannung für Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber über eine Bootstrap-Schaltung erzeugt.

Die Komponente verfügt über eine Unterspannungssperre (Under Voltage Lock Out, UVLO) sowohl für den Low-Side- als auch für den High-Side-Teil, die verhindert, dass die Leistungsschalter bei geringer Effizienz oder unter gefährlichen Bedingungen arbeiten.

Die im STDRIVE101 integrierte Steuerlogik erlaubt zwei Eingangsstrategien (High-Side und Low-Side oder Freigabe- und PWM-Ansteuerungssignale). Die Ansteuerungsmethode wird entsprechend dem DT/MODE-Pin ausgewählt. In beiden Fällen wird eine Querschlussvermeidung durch Verriegelung oder intern erzeugte Totzeit sichergestellt.

STDRIVE101 verfügt außerdem über einen VDS-Überwachungsschutz für jeden externen MOSFET, eine thermische Abschaltung und kann in den Standby-Modus versetzt werden, um den Stromverbrauch zu reduzieren.

Die Komponente ist in einem VFQFPN 4x4-Gehäuse mit 24 Anschlüssen erhältlich.

•Betriebsspannung von 5,5 bis 75 V

•600 mA Sink-/Source-Stromfähigkeit

•3,3 V und 5 V Steuerlogik

•Zwei Eingangsstrategien:

oENx/INx mit einstellbarer Totzeiterzeugung

oINHx/INLx mit Verriegelung

•Angepasste Ausbreitungszeit für alle Kanäle

•Sehr kurze Ausbreitungsverzögerung: 40 ns

•Integrierte Bootstrap-Dioden

•12 V LDO-Linearregler (50 mA max.)

•Integrierte VDS-Überwachung für jeden externen MOSFET

•Überstromkomparator

•UVLO- und thermischer Abschaltschutz

•Standby-Modus für geringen Stromverbrauch

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