Infineon IRSM005-301MH Halbbrücken-IPM MOSFET 30 A 1 27-Pin PQFN 20 V 35 ns

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

13,41 €

(ohne MwSt.)

15,96 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.320 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,682 €13,41 €
25 - 451,988 €9,94 €
50 - 1201,852 €9,26 €
125 - 2451,716 €8,58 €
250 +1,582 €7,91 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-7199
Herst. Teile-Nr.:
IRSM005-301MH
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Halbbrücken-IPM

Ausgangsstrom

30A

Pinanzahl

27

Gehäusegröße

PQFN

Abfallzeit

35ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

70ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Anzahl der Treiber

1

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Serie

IRSM005-301MH

Breite

7.1 mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IRSM005-301MH ist eine Universal-Halbbrücke mit integriertem Gate-Treiber in einem attraktiven 7 x 8 mm PQFN-Gehäuse. Er ist ein universell einsetzbarer Baustein, der für eine Vielzahl von Niederspannungsanwendungen geeignet ist, bei denen die Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung ist. Typische Beispiele sind Advanced Motorantriebe, DC/AC- und DC/DC-Wandler.

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und minimaler parasitärer Wirkung

HEXFETs mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand: 16 mΩ typ.

Unterspannungsschutz an VCC und VBS

Unabhängiger Gate-Antrieb in Phase mit Logikeingang

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V.

Laufzeitverzögerung abgestimmt auf definierte Spezifikation

Verwandte Links