Infineon MOSFET MOSFET 70 A PQFN 16 V

Die integrierte Leistungsstufe von Infineon kombiniert die Advanced Low Voltage MOSFET-Technologie mit dem neuesten Treiberdesign. Diese Integration von Treibertechnologie, FET-Technologie und Gehäusetechnologie demonstriert auch die leistungsfähige Kombination der Fähigkeiten von Infineon und International Rectifier. Die Totzeit der zweikantenigen Trimmung führt zu einer deutlichen Verbesserung der Peak Effiffizienz. Die interne MOSFET-RDS(on)-Stromerfassung (über einen dedizierten Kelvin-GND-Anschluss) mit integrierter Temperaturkompensation erreicht eine überlegene Stromsensorgenauigkeit im Vergleich zu DCR-Sensormethoden der Induktivität.

Kleines überformtes PQFN-Gehäuse mit 5 x 6 x 0,9 mm3, Rastermaß 0,45 mm