onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
221-6664P
Herst. Teile-Nr.:
NCV57090BDWR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

13ns

Treiber-Typ

IGBT

Anzahl der Ausgänge

5

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

22V

Maximale Versorgungsspannung

22V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

7.6mm

Höhe

2.65mm

Serie

NCx57090y

Breite

6.05 mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCD57090 ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.

Hohe transiente Störfestigkeit

Hohe elektromagnetische Störfestigkeit

Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung