Infineon MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 18 V 4.5 ns

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222-4944
Herst. Teile-Nr.:
IR11662STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

4A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

4.5ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

5

Anstiegszeit

181ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

18V

Betriebstemperatur min.

-25°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

IR11662S

Breite

4 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.75mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 200V-sekundärseitige Hochgeschwindigkeits-SR-Controller in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse.

Sekundärseitiger Hochgeschwindigkeits-SR-Controller

DCM-, CrCM-Flyback- und Resonanz-Halbbrücken-Topologien

Proprietäre 200-V-IC-Technologie

Max. 500 kHz Schaltfrequenz

Anti-Prellen-Logik und UVLO-Schutz

4 A Peak Ausschaltstrom

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