Infineon 2ED2106S06FXUMA1 MOSFET MOSFET 290 mA 2 8-Pin DSO 20 V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 226-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 290mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 100ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.72mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Serie | 2ED2106S06F | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 290mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 100ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.72mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Breite 3.9 mm | ||
Serie 2ED2106S06F | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 2ED2106S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V
Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V.
Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
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