- RS Best.-Nr.:
- 226-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 21.05.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,334 €
(ohne MwSt.)
1,587 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
10 - 40 | 1,334 € | 13,34 € |
50 - 90 | 1,268 € | 12,68 € |
100 - 240 | 1,215 € | 12,15 € |
250 - 490 | 1,161 € | 11,61 € |
500 + | 1,081 € | 10,81 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 226-6020
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2106S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon 2ED2106S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V
Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V.
Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V
Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V.
Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Ausgangsstrom | 290 mA |
Versorgungsspannung | 20V |
Pinanzahl | 8 |
Abfallzeit | 80ns |
Gehäusegröße | DSO |
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