Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin DSO 80ns

Der Infineon 2ED2109S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.

Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V
Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V.
Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand