Infineon Gate-Treiber MOSFET 1 A 8-Pin SOIC 20V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6177P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2011STRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JESD 47 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Serie | IRS2011 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JESD 47 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Serie IRS2011 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie IRS2011 von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 1 A Ausgangsstrom – IRS2011STRPBF
Dieser Gate-Treiber bietet eine Dual-Kanal-MOSFET-Antriebsfunktionalität für leistungselektronische Schaltkreise, arbeitet mit einer moderaten Logikversorgung und liefert eine kontrollierte Gate-Schaltung für externe Transistoren. Es wird als kompaktes oberflächenmontierbares SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Integration auf belegte Boards vorgesehen ist, bei denen zwei Ausgänge und eine geringe Antriebsstärke erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Zwei Ausgänge sorgen für unabhängiges Gateing für gepaarte MOSFETs
• 1 A Ausgangsstrom unterstützt Transistorschaltungen mit mittlerer Leistung
• Betrieb von 10 V bis 20 V Versorgung für flexible Systemschienen
• Schnelle Abfallzeit von 35 ns reduziert Schaltverluste beim Abschalten
• Anstiegszeit von 40 ns verbessert die Reaktionsfähigkeit beim Einschalten und das Timing
• 1 A Ausgangsstrom unterstützt Transistorschaltungen mit mittlerer Leistung
• Betrieb von 10 V bis 20 V Versorgung für flexible Systemschienen
• Schnelle Abfallzeit von 35 ns reduziert Schaltverluste beim Abschalten
• Anstiegszeit von 40 ns verbessert die Reaktionsfähigkeit beim Einschalten und das Timing
Anwendungsbereich
• Geeignet für Zweikanal-Stromumwandlungsstufen
• Ideal für komplementäre MOSFET-Halbbrücken-Topologien
• Wird mit Motor-Treiber-Stufen verwendet, die passende Gates erfordern
• Kann zum Schalten von Reglern in kompakten Systemen verwendet werden
• Wird für die diskrete Steuerung von Transistor-Gate-Anschlüssen an Oberflächenbaugruppen verwendet
• Ideal für komplementäre MOSFET-Halbbrücken-Topologien
• Wird mit Motor-Treiber-Stufen verwendet, die passende Gates erfordern
• Kann zum Schalten von Reglern in kompakten Systemen verwendet werden
• Wird für die diskrete Steuerung von Transistor-Gate-Anschlüssen an Oberflächenbaugruppen verwendet
Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem oberflächenmontierten SOIC-Gehäuse mit einer 8-poligen Anzahl geliefert.
Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis maximal 150 °C ausgelegt.
Wie klein ist die Komponente für platzbeschränkte Designs?
Das Gehäuse misst 5 mm in der Länge, 4 mm in der Breite und 1,75 mm in der Höhe.
Entspricht er den Zuverlässigkeitsstandards der Branche?
Er erfüllt die JEDEC JESD 47-Standardzulassung für die Gerätequalifizierung.