Infineon Gate-Treiber MOSFET 2 A 14-Pin PDIP 300mV 25 ns

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,94 €

(ohne MwSt.)

15,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,588 €12,94 €
25 - 452,276 €11,38 €
50 - 1202,122 €10,61 €
125 - 2451,968 €9,84 €
250 +1,836 €9,18 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6190
Herst. Teile-Nr.:
IRS2110STRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

14

Gehäusegröße

PDIP

Abfallzeit

25ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

25ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

300mV

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

10.5mm

Höhe

2.65mm

Breite

7.6mm

Serie

IRS

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 2 A Ausgangsstrom – IRS2110STRPBF


Dieser Gate-Treiber bietet eine Zweikanal-MOSFET-Ansteuerungsfähigkeit für Leistungsschaltanwendungen und wurde für die Schnittstelle zwischen Logikpegel-Steuerungen und Leistungstransistoren entwickelt, während er in einem breiten Temperaturbereich arbeitet. Er wird als 14-poliges PDIP-Gerät für die Oberflächenmontage geliefert und bietet gezielte Leistung für Systeme, die einen moderaten Ausgangsantrieb und schnelle Schaltübergänge erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Zwei Ausgänge liefern einen Antriebsstrom von 2 A für effiziente MOSFET-Schaltung
• Die minimale Versorgungsspannung von 10 V gewährleistet stabile Gate-Antriebspegel
• Die Anstiegszeit von 25 ns ermöglicht ein schnelles Einschalten für geringere Schaltverluste
• Die Fallzeit von 25 ns sorgt für eine schnelle Abschaltung zur Begrenzung der Querleitung
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 bis 125 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen
• Die RoHS-konforme Konstruktion unterstützt regulierte Fertigungsprozesse

Anwendungsbereich


• Geeignet für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs in Motorsteuerungen
• Ideal für den Einsatz in Gate-Stufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Leistungsschaltern verwendet
• Kann für die industrielle Inverter-Gate-Steuerung verwendet werden
• Wird für Pulsweitenmodulations-Gate-Treiber-Schaltkreise verwendet

Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplatten-Integration verwendet?


Er wird in einem 14-poligen PDIP-Gehäuse geliefert, das für Durchsteckmontage oder kompatible Oberflächenmontageanordnungen geeignet ist.

Welche Strombelastbarkeit sollten Entwickler pro Ausgang erwarten?


Jeder Ausgang kann bis zu 2 A liefern oder ableiten, um gängige MOSFET-Gatter direkt anzutreiben.

Welche Versorgungsspannungsbeschränkungen gelten während der Konstruktion?


Der Treiber benötigt eine minimale Versorgungsspannung von 10 V und ist mit einer Niederspannungsschwellenreferenz von maximal 0,3 V für bestimmte interne Pegel spezifiziert.

Wie verhält sich das Gerät bei hohen Umgebungstemperaturen?


Das Gerät ist für den Betrieb bei maximal 125 °C ausgelegt, was den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Systemen ermöglicht.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.