Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20 V 65 ns

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RS Best.-Nr.:
226-6194
Herst. Teile-Nr.:
IRS2118STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

290mA

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

65ns

Anzahl der Ausgänge

5

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

75ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1.75mm

Serie

IRS

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IRS2118 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber für Hochspannung und hohe Geschwindigkeit. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS-Ausgängen. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Querleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hoch- oder Niederspannungsseiten-Konfiguration anzutreiben, die bis zu 600 V arbeitet

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V.

Unterspannungsschutz

CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down

Ausgang in Phase mit Eingang

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