Infineon Gate-Treiber MOSFET 260 mA 8-Pin SOIC 15.4V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6201P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21531DSTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRS21531DSTRPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 260mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 220ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10.1V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 260mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 220ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10.1V | ||
Maximale Versorgungsspannung 15.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der IRS-Serie von Infineon, 10,1 V Mindestversorgungsspannung, 260 mA Ausgangsstrom – IRS21531DSTRPBF
Dieser Gate-Treiber bietet einen Zweikanal-MOSFET-Antrieb für Niederspannungs-Schaltanwendungen und liefert kontrollierte Gate-Impulse zur Versorgung von Transistoren über einen bescheidenen Versorgungsbereich. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Zwei Ausgänge ermöglichen eine unabhängige MOSFET-Gate-Steuerung und eine vereinfachte Gate-Ansteuerung
• Der Ausgangsstrom von 260 mA deckt den moderaten Gate-Ladebedarf ab
• Der Versorgungsbereich von 10,1 V bis 15,4 V unterstützt gängige Niederspannungsversorgungen
• Schnelle Anstiegszeit von 220 ns ermöglicht eine schnelle Einschaltreaktion
• Die Fallzeit von 80 ns reduziert die Schaltübergangsdauer
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht den Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen
• Der Ausgangsstrom von 260 mA deckt den moderaten Gate-Ladebedarf ab
• Der Versorgungsbereich von 10,1 V bis 15,4 V unterstützt gängige Niederspannungsversorgungen
• Schnelle Anstiegszeit von 220 ns ermöglicht eine schnelle Einschaltreaktion
• Die Fallzeit von 80 ns reduziert die Schaltübergangsdauer
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht den Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen
Anwendungsbereich
• Wird für die Half-Bridge-MOSFET-Gate-Ansteuerung in Leistungswandlern verwendet
• Geeignet für die Gate-Steuerung mit Motorantrieb in kompakten Baugruppen
• Kann für synchrone Gleichrichterantriebe in DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Ideal für die Gate-Ansteuerung an dichten Oberflächenmontage-Stromversorgungsmodulen
• Wird mit Niederspannungs-Batteriebetriebenen Schaltkonstruktionen verwendet
• Geeignet für die Gate-Steuerung mit Motorantrieb in kompakten Baugruppen
• Kann für synchrone Gleichrichterantriebe in DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Ideal für die Gate-Ansteuerung an dichten Oberflächenmontage-Stromversorgungsmodulen
• Wird mit Niederspannungs-Batteriebetriebenen Schaltkonstruktionen verwendet
Welches Gehäuseformat sollte ich für meine Leiterplatte planen?
Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für Standard-Oberflächenmontage-Pads geliefert.
Wie klein ist die Grundfläche der Komponenten für enge Layouts?
Das Gehäuse misst 4 mm in der Breite und 5 mm in der Länge für eine kompakte Platzierung.
Welchen Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt.
Wie viele Ausgangskanäle sind für die Gate-Signalisierung verfügbar?
Es gibt zwei unabhängige Ausgangskanäle für separate MOSFET-Gates.
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Das Gerät ist für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte vorgesehen.