Infineon Gate-Treiber MOSFET 1.9 A 2 8-Pin SOIC 20V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6204
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2183STRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRS2183STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1.9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 40ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | IRS2183 | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1.9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 40ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie IRS2183 | ||
Breite 4mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber der Serie IRS2183 von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 1,9 A Ausgangsstrom – IRS2183STRPBF
Dieser Gate-Treiber ist ein Zweikanal-MOSFET-Treiber, der zur Steuerung von Schalttransistoren in Leistungsumwandlungsstromkreisen entwickelt wurde und von einer Niederspannungsversorgung bis hin zu einer moderaten Versorgungsschiene arbeitet. Er wird in einem kompakten oberflächenmontierten 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert und ist für Leiterplattenanwendungen vorgesehen, die eine präzise Ansteuerung von zwei Ausgängen mit schnellen Schalteigenschaften erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V ermöglicht eine flexible Auswahl der Systemspannung
• 1,9 A Ausgangsstrom liefert robuste MOSFET-Gate-Ladefähigkeit
• Die Anstiegszeit von 40 ns reduziert die Übergangsverluste beim Einschalten
• 35 ns Abfallzeit begrenzt die Energieverlust bei Abschaltung
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 125 °C für eine erweiterte thermische Toleranz
• Zwei Treiber mit zwei Ausgängen unterstützen die Ansteuerung von zwei Geräten
• 1,9 A Ausgangsstrom liefert robuste MOSFET-Gate-Ladefähigkeit
• Die Anstiegszeit von 40 ns reduziert die Übergangsverluste beim Einschalten
• 35 ns Abfallzeit begrenzt die Energieverlust bei Abschaltung
• Funktioniert bei Temperaturen von -40 °C bis 125 °C für eine erweiterte thermische Toleranz
• Zwei Treiber mit zwei Ausgängen unterstützen die Ansteuerung von zwei Geräten
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Ansteuerung komplementärer MOSFET-Paare in DC/DC-Wandlern
• Ideal für den Einsatz in Halbbrücken-PWM-Schaltstufen
• Einsatz mit Gate-Antriebsschaltkreisen in Motorsteuerungsumrichtern
• Kann für die synchrone Gleichrichter-Gate-Steuerung in Versorgungsanlagen verwendet werden
• Wird für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf Platinen mit begrenztem Platzangebot verwendet
• Ideal für den Einsatz in Halbbrücken-PWM-Schaltstufen
• Einsatz mit Gate-Antriebsschaltkreisen in Motorsteuerungsumrichtern
• Kann für die synchrone Gleichrichter-Gate-Steuerung in Versorgungsanlagen verwendet werden
• Wird für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf Platinen mit begrenztem Platzangebot verwendet
Welche Gehäuseabmessungen beeinflussen das Board-Layout?
Das Gerät wird in einem kleinen SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer Breite von 4 mm, einer Länge von 5 mm und einer Höhe von 1,75 mm angeboten, was eine dichte Platzierung der Leiterplatte erleichtert.
Wie viele Ausgänge bietet das Gerät und wie sind sie angeordnet?
Er bietet zwei Ausgänge, die von zwei internen Treibern angetrieben werden und eine unabhängige Steuerung gekoppelter MOSFETs ermöglichen.
Welchen thermischen Bedingungen kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Er unterstützt den Betrieb in einem breiten Umgebungsbereich von -40 °C bis maximal 125 °C für den Einsatz bei hohen Temperaturen.
Ist dies für Automobil-Standard-Designs geeignet?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, und sollte entsprechend für Implementierungen in Fahrzeugqualität bewertet werden.
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