Infineon MOSFET MOSFET 14-Pin DSO 28 V 90 ns
- RS Best.-Nr.:
- 229-1712P
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EBN1001AEXUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 25 - 45 | 2,47 € |
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| 125 - 245 | 2,148 € |
| 250 + | 2,004 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 229-1712P
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EBN1001AEXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Abfallzeit | 90ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 50ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 28V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 28V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 2.65 mm | |
| Länge | 8.65mm | |
| Serie | 1EBN1001AE | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Pinanzahl 14 | ||
Abfallzeit 90ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 50ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 28V | ||
Maximale Versorgungsspannung 28V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 2.65 mm | ||
Länge 8.65mm | ||
Serie 1EBN1001AE | ||
Höhe 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der isolierte Einkanal-Verstärker von Infineon für Kfz-Anwendungen. Es handelt sich um einen IGBT- oder MOSFET-Gate-Treiberverstärker für Kfz-Motorantriebe über 10 kW. Aufgrund seines thermisch optimierten freiliegenden Polstergehäuses kann er Peak Ströme bis zu 15 A ansteuern und senken Es ist für Systeme bis ASIL D-Anforderungen geeignet.
Es ist AEC-Q100-zertifiziert
Es spart erhebliche Leiterplattenfläche
IT-Unterstützung für aktive Kurzschlussstrategien