STMicroelectronics Gate-Ansteuerungsmodul 3.3 → 15V 31-Pin QFN
- RS Best.-Nr.:
- 233-0468
- Herst. Teile-Nr.:
- MASTERGAN5TR
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 233-0468
- Herst. Teile-Nr.:
- MASTERGAN5TR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Versorgungsspannung | 3.3 → 15V | |
| Pinanzahl | 31 | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Versorgungsspannung 3.3 → 15V | ||
Pinanzahl 31 | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Der STMicroelectronics MASTERGAN5TR ist ein 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und zwei GaN-Leistungs-HEMTs im Anreicherungstyp. Der MASTERGAN5 ist ein Advanced Power System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Leistungstransistoren im Anreichermodus in Halbbrücken-Konfiguration integriert. Die integrierten Power Gans verfügen über eine 650-V-Drain-Source-Sperrspannung und RDS(ON) von 450 mΩ, während die Hochspannungsseite des integrierten Gate-Treibers einfach über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann. Es handelt sich um einen 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte mit zwei GaN-Leistungs-HEMTs im Anreicherungsmodus.
Rückstrombelastbarkeit
Kein Rückgewinnungsverlust
UVLO-Schutz auf der Niederspannungsseite und auf der Hochspannungsseite
Interne Bootstrap-Diode
Verriegelungsfunktion
Genaue interne Zeiteinstellung
3,3-V- bis 15-V-kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-Down-Funktion
Kein Rückgewinnungsverlust
UVLO-Schutz auf der Niederspannungsseite und auf der Hochspannungsseite
Interne Bootstrap-Diode
Verriegelungsfunktion
Genaue interne Zeiteinstellung
3,3-V- bis 15-V-kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-Down-Funktion
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