onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 233-6803P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57090FDWR2G
- Marke:
- onsemi
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- NCD57090FDWR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCD57090FDWR2G ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung von 5 kV eff, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp für den Komfort des Systemdesigns. Er verfügt über einen niedrigen Spannungsabfall an der Klemme, der ein negatives Netzteil überflüssig macht, um ein falsches Einschalten des Tores zu verhindern. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem SOIC-8-Gehäuse mit breitem Gehäuse erhältlich.
Er hat einen hohen Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)
Es bietet kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
Es bietet IGBT/MOSFET-Gate-Klemmung während eines Kurzschlusses