Renesas Electronics HIP2101IBZT MOSFET MOSFET 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 10 ns

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RS Best.-Nr.:
238-0035
Herst. Teile-Nr.:
HIP2101IBZT
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

2A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

10ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

500ns

Minimale Versorgungsspannung

9V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

14V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Serie

HIP2101

Breite

4 mm

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Renesas Electronics HIP2101 ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit 100 V. Er entspricht dem HIP2100 mit dem zusätzlichen Vorteil vollständig TTL/CMOS-kompatibler Logikeingangsstifte. Im Gegensatz zu einigen Wettbewerbern kehrt der Hochspannungsausgang nach einer kurzzeitigen Unterspannung der Hochspannungsversorgung in seinen korrekten Zustand zurück.

Versorgt N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke

SOIC-, EPSOIC-, QFN- und DFN-Gehäuseoptionen

Bootstrap-Versorgungsspannung bis 114 VDC

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