STMicroelectronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 4 A 3.1 V, 5.5 V 36-Pin So-36W 30ns

Der STMicroelectronics STGAP2SICD ist ein Dual-Gate-Treiber für SiC MOSFETs, der eine galvanische Trennung zwischen jedem Gate-Ansteuerkanal und der Niederspannungssteuerung und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine 4-A-Strombelastbarkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge aus und ist damit für mittlere und hohe Leistungsanwendungen wie Leistungsumwandlung und industrielle Motortreiber geeignet. Die getrennten Ausgangsstifte ermöglichen die unabhängige Optimierung des Ein- und Ausschaltens durch Verwendung dedizierter Gate-Widerstände, während die Miller CLAMP-Funktion die Vermeidung von Gate-Spitzen bei schnellen Verbindungen in Halbbrücken-Topologien ermöglicht. Das Gerät integriert Schutzfunktionen: Dedizierte SD- und BRAKE-Stifte sind verfügbar, UVLO und thermische Abschaltung sind im Lieferumfang enthalten, um Systeme mit hoher Zuverlässigkeit einfach zu entwickeln.

4 A Miller
UVLO-Funktion
Konfigurierbare Verriegelungsfunktion
Spezielle SD- und BRAKE-Stifte
Gate-Ansteuerspannung bis zu 26 V.
3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
Schutz vor Temperaturabschaltung
Standby-Funktion
6 kV galvanische Trennung
Breites Gehäuse SO-36W

In Halbbrücken-Topologien verhindert die Verriegelungsfunktion, dass Ausgänge gleichzeitig hoch sind, wodurch Shoot-Through-Bedingungen bei falschen logischen Eingangsbefehlen vermieden werden. Die Verriegelungsfunktion kann über einen dedizierten Konfigurationsstift deaktiviert werden, wodurch ein unabhängiger und paralleler Betrieb der beiden Kanäle ermöglicht wird. Die Ergebnisse der Eingangs-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung sind innerhalb von 75 ns enthalten und bieten eine hohe PWM-Regelgenauigkeit. Ein Standby-Modus ist verfügbar, um den Stromverbrauch im Leerlauf zu reduzieren.