Infineon 2EDL05N06PJXUMA1 Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 500 mA 14-Pin DSO-14 600 V 40 ns
- RS Best.-Nr.:
- 244-0873
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDL05N06PJXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 2EDL05N06PJXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 500mA | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Abfallzeit | 40ns | |
| Gehäusegröße | DSO-14 | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Minimale Versorgungsspannung | 600V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | DIN EN 60747-5-2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 500mA | ||
Pinanzahl 14 | ||
Abfallzeit 40ns | ||
Gehäusegröße DSO-14 | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Minimale Versorgungsspannung 600V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen DIN EN 60747-5-2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit integrierter Bootstrap-Diode verfügt über die einzigartige Dünnschicht-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) von Infineon, die ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit bietet. Die Schmitt-Triggerlogikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Logik bis zu 3,3 V. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitungen. Der Schwimmkanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hochspannungsseite-Konfiguration zu betreiben, die bis zu 600 V betrieben wird. Zusätzlich bietet die Offline-Klemmfunktion einen inhärenten Schutz der parasitären Einschaltung durch Schwimmgatterbedingungen, wenn kein IC geliefert wird.
Dünnschicht-SOI-Technologie von Infineon
Voll funktionsfähig bis +600 V
Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Gate-Antriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungssperre für beide Kanäle
Eingangslogik für 3,3 V, 5 V und 15 V
RoHS-konform
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