onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A 16-Pin SOIC 5V 16 ns
- RS Best.-Nr.:
- 244-9158P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP51561DADWR2G
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abfallzeit | 16ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 19ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | NCP51 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abfallzeit 16ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 19ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie NCP51 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der isolierte on Semiconductor-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit hohem Strom ist ein Hochstrom-Einkanal. IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner 5-kV-eff-galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp (Version A/D/F), negatives Netzteil (Version B) und separate Treiberausgänge für Hoch- und Niederspannung (OUTH und OUTL) (Version C/E) für mehr Komfort beim Systemdesign. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem SOIC-8-Gehäuse mit breitem Gehäuse erhältlich.
Hoher Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)
Niedriger Spannungsabfall an der Klemme beseitigt den Bedarf an negativem Netzteil, um ein Einschalten des Spurious Gate zu verhindern (Version A/D/F)
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung
IGBT/MOSFET-Gate-Klemmen während eines Kurzschlusses
IGBT/MOSFET Gate Active Pull-Down
Enge UVLO-Schwellenwerte für Biegsamkeit
Großer Bias-Spannungsbereich einschließlich negativem VEE2 (Version B)
3,3-V-, 5-V- und 15-V-Logik-Eingang
Galvanische Isolierung mit 5 kV eff
Hohe transiente Störfestigkeit
Hohe elektromagnetische Störfestigkeit
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