Nisshinbo Micro Devices Gate-Treiber 200 mA 6-Pin DFN-6-H1 45 V
- RS Best.-Nr.:
- 244-9834
- Herst. Teile-Nr.:
- NJW4832KH1-A-TE3
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
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- Herst. Teile-Nr.:
- NJW4832KH1-A-TE3
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 200mA | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gehäusegröße | DFN-6-H1 | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 45V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 200mA | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gehäusegröße DFN-6-H1 | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 45V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie NJW4832 von New Japan Radio ist der einzige High-Side-Schalter, der 0,2 A liefern kann. Die aktive Klemmschaltung, die Überstrom- und die thermische Abschaltung sind in den Pch MOS FET integriert. Er ist für verschiedene Sensorausgangsblöcke vom Typ PNP geeignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Niedriger Verbrauchsstrom
Aktive Klemmschaltung
Überstromschutz
Thermische Abschaltung
Gehäuseform ist DFN6-H1
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