Infineon Gate-Treiber MOSFET 5 A 8-Pin DSO 20V 6 ns
- RS Best.-Nr.:
- 248-6185
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDN7534FXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 2EDN7534FXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 6ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 15ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.2V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 6ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 15ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.2V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber von Infineon, 5 A Ausgangsstrom, 4,2 V Mindestversorgungsspannung – 2EDN7534FXTMA1
Dieser Gate-Treiber bietet eine MOSFET-Gate-Steuerung für Leistungsschaltanwendungen, arbeitet über einen breiten Versorgungsbereich und ist für eine kompakte Integration auf Board-Ebene gepackt. Er ist für Schaltkreise vorgesehen, die schnelle Gate-Übergänge und einen moderaten Ausgangsantrieb in einem 8-poligen DSO-Format erfordern, das für platzsparende Designs geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 5 A Ausgangsstrom für den Antrieb von Hochstrom-MOSFETs
• Minimale Versorgung von 4,2 V ermöglicht Niederspannungsbetrieb
• Maximale Versorgung von 20 V für Leistungsstufen mit höherer Spannung
• 6 ns Abfallzeit für schnelles Abschalten von Schaltgeräten
• 15 ns Anstiegszeit für schnelle Einschaltübergänge
• Ausgelegt für eine maximale Temperatur von 150 °C für raue Umgebungen
• Minimale Versorgung von 4,2 V ermöglicht Niederspannungsbetrieb
• Maximale Versorgung von 20 V für Leistungsstufen mit höherer Spannung
• 6 ns Abfallzeit für schnelles Abschalten von Schaltgeräten
• 15 ns Anstiegszeit für schnelle Einschaltübergänge
• Ausgelegt für eine maximale Temperatur von 150 °C für raue Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Inverter-Gate-Stufen für industrielle Motoren
• Ideal für Hochstrom-Schaltwandler
• Einsatz mit MOSFETs in Mittelspannungselektronik
• Kann für kompakte Leiterplatten-Stromversorgungs-Subsysteme verwendet werden
• Geeignet für thermisch belastete Umgebungen und Hochtemperaturplatinen
• Ideal für Hochstrom-Schaltwandler
• Einsatz mit MOSFETs in Mittelspannungselektronik
• Kann für kompakte Leiterplatten-Stromversorgungs-Subsysteme verwendet werden
• Geeignet für thermisch belastete Umgebungen und Hochtemperaturplatinen
Welches Gehäuse sollte ich bei der Montage des Geräts planen?
Das Gerät wird in einem 8-poligen DSO-Gehäuse geliefert, das eine geringe Grundfläche auf der Leiterplatte und Standard-Lötpads erfordert.
Wie verhält sich der Treiber unter erhöhten Umgebungsbedingungen?
Er ist für den Betrieb bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit hohen Sperrschicht- oder Umgebungstemperaturen.
Welche Versorgungsspannungen sind für einen zuverlässigen Betrieb akzeptabel?
Der zulässige Versorgungsbereich reicht von 4,2 V am niedrigen Ende bis zu 20 V am hohen Ende, um Nieder- und Mittelspannungssysteme abzudecken.
Wie schnell schaltet der Treiber typische MOSFET-Gates?
Das Gerät bietet eine Einschaltcharakteristik von 15 ns und eine Ausschaltcharakteristik von 6 ns, um schnelles Schalten zu unterstützen.
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