Infineon Gate-Treiber MOSFET 5 A 8-Pin DSO 20V 6 ns
- RS Best.-Nr.:
- 248-6189
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDN8534FXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 2EDN8534FXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 6ns | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 15ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 8V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 6ns | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 15ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 8V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber von Infineon, 8 V Mindestversorgungsspannung, 5 A Ausgangsstrom – 2EDN8534FXTMA1
Dieser Gate-Treiber bietet MOSFET-Antriebsfähigkeit für Leistungselektronik, bei der eine kompakte Steuerung von Schaltgeräten erforderlich ist. Er arbeitet über einen niedrigen bis mittleren Versorgungsbereich und ist in einem kleinen DSO-Gehäuse untergebracht, das für die Integration in dichte Baugruppen geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, die schnelle Gate-Übergänge und den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Betrieb von 8 V bis 20 V für flexible Versorgungsauswahl
• Liefert einen Ausgangsstrom von 5 A für eine effektive MOSFET-Gate-Ladung
• Anstiegszeit von 15 ns ermöglicht schnellere Einschaltübergänge
• Fallzeit 6 ns unterstützt schnelles Abschalten
• Ausgelegt für den Betrieb zwischen -40 °C und 150 °C für raue Umgebungen
• Erhältlich in einem 8-poligen DSO für kompakte Leiterplatten
• Liefert einen Ausgangsstrom von 5 A für eine effektive MOSFET-Gate-Ladung
• Anstiegszeit von 15 ns ermöglicht schnellere Einschaltübergänge
• Fallzeit 6 ns unterstützt schnelles Abschalten
• Ausgelegt für den Betrieb zwischen -40 °C und 150 °C für raue Umgebungen
• Erhältlich in einem 8-poligen DSO für kompakte Leiterplatten
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Ansteuerung von MOSFETs in Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltvorgänge in Motorsteuerungssystemen
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die schnelle Gate-Übergänge erfordern
• Kann zur Gate-Steuerung in thermisch beanspruchten Installationen verwendet werden
• Wird für kompakte Designs verwendet, die einen 8-poligen MOSFET-Treiber benötigen
• Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltvorgänge in Motorsteuerungssystemen
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die schnelle Gate-Übergänge erfordern
• Kann zur Gate-Steuerung in thermisch beanspruchten Installationen verwendet werden
• Wird für kompakte Designs verwendet, die einen 8-poligen MOSFET-Treiber benötigen
Welche Versorgungsspannungen akzeptiert das Gerät?
Es nimmt Eingangsspannungen von 8 V bis 20 V auf.
Wie viel sofortiger Gate-Strom kann er liefern oder ableiten?
Die Ausgangskapazität ist auf 5 A für die Ansteuerung von MOSFET-Gatter angegeben.
Welche Schaltgeschwindigkeitsmerkmale gibt es?
Das Gerät weist eine Anstiegszeit von 15 ns und eine Abfallzeit von 6 ns auf.
Für welchen Temperaturbereich ist das Gerät spezifiziert?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt.
Welche Gehäuse- und Pinanzahl wird für die Leiterplatten-Integration verwendet?
Er wird in einem 8-poligen DSO-Gehäuse geliefert.
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