Renesas Electronics HIP2100IBZT7A Gate-Treiber-Modul Halbbrücke 2 A 2 8-Pin SOIC 14 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 256-1548
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2100IBZT7A
- Marke:
- Renesas Electronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | Halbbrücke | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 9V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 14V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | HIP2100 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Montageart | Platine | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ Halbbrücke | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 9V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 14V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie HIP2100 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 4 mm | ||
Montageart Platine | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Halbbrücken-Treiber von Renesas ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit 100 V. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden unabhängig gesteuert und auf 8 ns abgestimmt. Dies bietet dem Benutzer maximale Flexibilität bei der Auswahl von Dead-Time- und Treiberprotokoll. Der Unterspannungsschutz an den Low-Side- und High-Side-Versorgungen zwingt die Ausgänge niedrig zu halten. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die mit anderen Treiber-ICs erforderlich ist. Eine neue Pegel-Schalter-Topologie bietet die geringe Leistungsaufnahme des Impulsbetriebs mit der Sicherheit des DC-Betriebs. Im Gegensatz zu einigen Wettbewerbern kehrt der Hochspannungsausgang nach einer kurzzeitigen Unterspannung der Hochspannungsversorgung in seinen korrekten Zustand zurück.
Treibt N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke,
bleifrei (RoHS-konform)
max. Bootstrap-Versorgungsspannung bis 114 V
COn-Chip, 1 Ω Bootstrap-Diode,
schnelle Ausbreitungszeiten für Multi-MHz-Schaltkreise,
treibt 1000 pF Last mit Anstiegs- und Abfallzeiten typisch von 10 ns,
CMOS-Eingangsschwellenwerte für verbesserte Störfestigkeit,
niedriger Stromverbrauch,
großer Versorgungsspannungsbereich, Unterspannungsschutz
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