Infineon 2EDS8265HXUMA2 MOSFET MOSFET 8 A 8-Pin WB-DSO16 3.5 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-0627
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDS8265HXUMA2
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | WB-DSO16 | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße WB-DSO16 | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET-Gate-Treiber von Infineon ist eine Familie von schnellen isolierten Zweikanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs, die eine funktionale oder verstärkte Eingangs-zu-Ausgangs-Isolierung mittels kernloser Transformatortechnologie bieten. Aufgrund des hohen Antriebsstroms, der ausgezeichneten Gleichtaktunterdrückung und der schnellen Signalverbreitung eignet sich der 2EDi besonders gut zum Antrieb von Mittel- bis Hochspannungs-MOSFETs in Schnellschaltsystemen.
Gleichtakt-Übergangsimmunität CMTI >150 V/ns
Schnelle Sicherheitsabschaltung bei Eingangsseite Unterspannungsverriegelung (UVLO)
Großer Betriebstemperaturbereich TJ = -40 °C bis +150 °C
RoHS-konforme, breite/schmale (WB/NB) DSO16- und 5 mm x 5 mm LGA-Gehäuse
Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen
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